延續上一篇介紹記憶體規格，這篇我們同樣從上節出現過的這張圖開始進行，討論完記憶體制式與速度與頻寬的問題之後，我接下來想介紹的是記憶體時序的部分，下篇則會談記憶體的特殊功能與組成形式的部分，作為記憶體規格介紹的尾聲。
記憶體時序的意義
如果不出意外的話，記憶體時序 (Timing) 會是所有記憶體規格參數中最複雜且最難理解的部分，顧名思義記憶體時序與時間有關，什麼樣的時間呢？其實就是記憶體進行各類操作 (例如收到處理器要求後要讀取資料中間的過程) 時所需要花費的時間 (單位是需要經過幾個時脈週期，所以時脈提升也會影響到時序，所以不見得只要時序越低就一定越好，要算過才知道)，時序規格通常是由如下圖中的四組數字組成，依序分別是 CL、tRCD、tRP 與 tRAS。
話說從頭－記憶體存取資料的方式
要解釋時序的意義之前，我們需要先理解記憶體是如何存放與讀取資料的，基本上我們可以將記憶體想像成一個很大的矩陣，由大量的欄位組成 (欄位的數量就是記憶體的容量) 每個欄位都有一個專屬的位置 (X,Y)，以下圖的例子而言，資料放在 (3,4) 這個欄位中。
當處理器發出指令要求存取 (3,4) 欄位的資料後，記憶體會將指令的內容解碼，得到要存取的列位置為 X = 3，欄位置 Y = 4，之後記憶體會啟動整個第三列的所有欄位以備存取。
