延續上一篇介紹記憶體規格,這篇我們同樣從上節出現過的這張圖開始進行,討論完記憶體制式與速度與頻寬的問題之後,我接下來想介紹的是記憶體時序的部分,下篇則會談記憶體的特殊功能與組成形式的部分,作為記憶體規格介紹的尾聲。
記憶體時序的意義
如果不出意外的話,記憶體時序 (Timing) 會是所有記憶體規格參數中最複雜且最難理解的部分,顧名思義記憶體時序與時間有關,什麼樣的時間呢?其實就是記憶體進行各類操作 (例如收到處理器要求後要讀取資料中間的過程) 時所需要花費的時間 (單位是需要經過幾個時脈週期,所以時脈提升也會影響到時序,所以不見得只要時序越低就一定越好,要算過才知道),時序規格通常是由如下圖中的四組數字組成,依序分別是 CL、tRCD、tRP 與 tRAS。
話說從頭-記憶體存取資料的方式
要解釋時序的意義之前,我們需要先理解記憶體是如何存放與讀取資料的,基本上我們可以將記憶體想像成一個很大的矩陣,由大量的欄位組成 (欄位的數量就是記憶體的容量) 每個欄位都有一個專屬的位置 (X,Y),以下圖的例子而言,資料放在 (3,4) 這個欄位中。
當處理器發出指令要求存取 (3,4) 欄位的資料後,記憶體會將指令的內容解碼,得到要存取的列位置為 X = 3,欄位置 Y = 4,之後記憶體會啟動整個第三列的所有欄位以備存取。