其實我本來是打算把 Sandy Bridge 跟 Ivy Bridge 放在同一篇寫的,畢竟 Ivy Bridge 本質上是 Sandy Bridge 的製程改進版,架構主體原則上會是 Sandy Bridge 的延續,所以改進內容並不會那麼多與明顯,不過考慮到上篇篇幅已經達到 4,200 字,加上 Sandy Bridge 跳 Ivy Bridge 的改進內容又比上次 Nehalem 跳 Westmere 來得多,所以還是獨立開篇了。 XD

IVB3012

Intel Ivy Bridge 架構

時序來到 2012 年,依照 Intel 奉行多年的 Tick-tock 二年一輪發展計畫,又是輪到 “Tick",也就是製程改進的一年,因此以第三代 Intel Core 處理器家族、Intel Xeon E3 v2 家族名義推出的 Ivy Bridge 架構處理器帶來的主要特色無庸置疑,就是 22 奈米製造工藝首次投入 Intel x86 處理器使用,然而隨著製程越來越接近矽原子的物理極限,製程提升已經不像以前那麼簡單,因此這次的 22 奈米製造工藝是有很多特色的。

IVB3401

自 2003 年以來製程上的最大進展

大致上 Intel 近十年內的製程演化有三個技術是扮演最關鍵角色的,依序是在 2003 年導入 90 奈米製造工藝時引入的矽鍺異質接面與應變矽技術 (首次用於 Intel Pentium 4 Prescott)、2007 年導入 45 奈米製造工藝時引入的 High-K 金屬閘極技術 (首次用於 Intel Core Penryn),接下來就是在 Ivy Bridge 世代 22 奈米製造工藝上引入的 3D 立體三閘極電晶體技術了。

TSE8522