電腦達人養成計畫 3-4：認識記憶體規格 (下) ECC? Rank? Bank? 記憶體分類與組成結構

Non-ECC Registered DIMM

看完前三種之後，或許你會想問：有暫存緩衝設計的記憶體就一定支援 ECC 錯誤更正嗎？其實答案是否定的，確實在規格上有 Non-ECC Registered DIMM 這種東西存在，但基本上近十年內是沒有主機板設計成支援暫存緩衝卻不支援 ECC 的，而且既然要加價購買，大部分人應該會選擇優先要 ECC 功能，而不是主要用處在於提升總容量的 Registered 功能吧？畢竟有錢買一堆記憶體來插的人應該不差那一點 ECC 的導入成本，所以這種記憶體在市場上幾乎是看不到的。

比較特殊的記憶體功能分類

實際上除了前面介紹的四種以外，還有 Fully Buffered DIMM (FB-DIMM) 與 Load Reduced (LR-DIMM) 兩種比較特別的記憶體，這兩類記憶體基本上「功能類似 ECC Registered DIMM」，都是具有 ECC 錯誤更正能力與暫存緩衝設計的記憶體模組，某種程度上也可以將這兩種記憶體視為「更極端」的 Registered 記憶體，目的在於更進一步的提高記憶體容量的上限與系統穩定性。

Fully Buffered DIMM (FB-DIMM)

這種記憶體在 DDR2、DDR3 之後幾乎是已經絕跡了，從名字中可以很容易得知，FB-DIMM 的特色就是會被放入暫存緩衝當中的東西比 Registered DIMM 還要來得更多 (相對成本也高得多)，最明顯的特徵是記憶體模組上加入了一塊稱為 Advanced Memory Buffer 的緩衝晶片，就設計的角度來看，可以發現 FB-DIMM 的設計方針其實跟 PCI Express 有點類似，同樣採用序列、點對點傳輸的實作方式來取代傳統記憶體的並列傳輸。

由於這樣的作法會導致耗電量、延遲、成本、設計複雜度與發熱量的增加，加上改採序列傳輸對運作時脈的要求也變得更高 (否則頻寬達不到以前的標準)，因此並沒有如當年預期的成為伺服器市場的主流，而是逐漸消聲匿跡，值得注意的是 DDR2 世代的 FB-DIMM 在腳位定義上實際上比標準的 DDR2 還要多了一些 (在防呆設計的兩側)。

Load Reduced DIMM (LR-DIMM)

基本上與 FB-DIMM 同樣是為了把伺服器的記憶體安裝上限拉得更高而設計，顧名思義設計目標上是為了降低記憶體匯流排的負載，從而讓系統可以挑戰更高的記憶體安裝上限與記憶體運作時脈 (而且還更加省電)，以我個人用於網站與虛擬主機服務營運用伺服器上的 Intel S2600CWTSR 主機板來說，搭配 Registered DIMM 時記憶體安裝量上限僅有 512 GB，而採用 Load Reduced DIMM 之後可以一舉翻倍到 1TB。

整體而言 LR-DIMM 架構上跟 Registered DIMM 比較類似，主要的差異在於使用 Inphi 發展的 Isolated Memory Buffer (IMB) 晶片取代原有的暫存器 (所以外觀上跟 FB-DIMM 蠻像的)，並且與 FB-DIMM 相同，會對資料訊號也進行暫存緩衝，當記憶體控制器發出存取要求、指令與存取位置時，由緩衝晶片先行接收並一次供給給數個 Rank 的記憶體，取代原先 DDR4 記憶體設計將資料傳輸通道直接與各 Rank 連結的設計 (如上圖)，從而降低記憶體傳輸通道的電子訊號負載，目前已經取代 FB-DIMM 成為 Xeon E5 系列處理器支援的記憶體類型之一。